磁控共溅射GaAs/SiO2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质

• 作者: S.P.Wong W.Y.Cheung 丁瑞钦 丘志仁 佘卫龙 王浩 罗莉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控共溅射 GaAs纳米颗粒 微观结构 光学非线性
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 238-245
• 页数: 8页
• 分类号: O482.3
• 字数: 1237字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.03.002

摘要

应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分.结果表明GaAs纳米颗粒的平均直径很小(约为1.5～3.2nm),且均匀地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2组分都符合化学计量关系.应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了Z扫描测试和分析.结果表明,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强,在非共振条件下,它们分别约为4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在准共振的条件下,它们分别约为2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佘卫龙	中山大学超快速激光光谱国家重点实验室	74	641	13.0	20.0
2	W.Y.Cheung	香港中文大学电子工程系和材料科学与工程研究中心	3	19	3.0	3.0
3	S.P.Wong	香港中文大学电子工程系和材料科学与工程研究中心	5	20	3.0	4.0
4	丘志仁	中山大学超快速激光光谱国家重点实验室	15	67	6.0	7.0
5	丁瑞钦	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	29	115	6.0	9.0
6	王浩	五邑大学薄膜与纳米材料研究所	9	46	4.0	6.0
7	罗莉	中山大学超快速激光光谱国家重点实验室	9	54	5.0	7.0