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摘要:
在场致发射器件中,发射电流通常会随着工作时间的增加而跌落.发射电流跌落的机理较为复杂.本文模拟分析了一次电子从场致发射发射体表面的发射情况.根据一次电子的电流密度分布和运动轨迹,研究残余气体分子的电离.然后计算正离子在电场中的运动轨迹,利用半经验模型分析不同能量的正离子对发射体表面的损伤情况,最后估计出在不同残余气压和一次电流下发射电流的衰减.
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文献信息
篇名 离子轰击引起的场致发射体发射电流跌落的研究
来源期刊 东南大学学报(英文版) 学科 工学
关键词 场致发射体 发射电流跌落 离子轰击
年,卷(期) 2002,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 326-330
页数 5页 分类号 TN101
字数 479字 语种 英文
DOI 10.3969/j.issn.1003-7985.2002.04.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 姚建楠 东南大学电子工程系 9 53 4.0 7.0
2 李俊涛 东南大学电子工程系 6 73 5.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
场致发射体
发射电流跌落
离子轰击
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
东南大学学报(英文版)
季刊
1003-7985
32-1325/N
大16开
南京四牌楼2号
1984
eng
出版文献量(篇)
2004
总下载数(次)
1
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8843
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