低能V+注入花生种子的深度研究

• 作者: 丁晓纪 周宏余 朱光华 汪新福 陆挺
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 离子注入 花生种子 扫描电子显微镜 深度分布
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 531-534
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3|Q319.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2002.06.012

摘要

用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V+注入干花生种子的穿透深度-浓度分布.结果表明:这种分布是有长拖尾的高斯分布;200 keV的V+注入干花生种子的最大穿透深度为13.6 μm.比较了实验结果与TRIM95的计算值.