用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

• 作者: 忻佩胜 朱自强 石艳玲 赖宗声 龙永福
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微波/射频 多孔硅/氧化多孔硅 介质膜 损耗
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 609-613
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.06.010

摘要

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石艳玲	华东师范大学电子系	47	205	8.0	12.0
2	忻佩胜	华东师范大学电子系	16	115	7.0	10.0
3	朱自强	华东师范大学电子系	40	272	11.0	13.0
4	赖宗声	华东师范大学电子系	136	779	13.0	18.0
5	龙永福	华东师范大学电子系	5	39	4.0	5.0