退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构影响研究

• 作者: 于军 倪尔瑚 王华 王耘波
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 铁电薄膜 Bi4Ti3O12 微观结构 退火温度
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 29-31,47
• 页数: 4页
• 分类号: TM22.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2002.11.008

摘要

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对Si基Bi4Ti3O12薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响.研究表明,退火温度低于450℃时Bi4Ti3O12薄膜为非晶状态,退火温度在550～850℃范围时均为多晶薄膜,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c轴取向的生长;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大,但在较高温度下增长速度趋缓.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	王华	桂林电子工业学院通信与信息工程系	98	463	13.0	17.0
3	王耘波	华中科技大学电子科学与技术系	68	398	10.0	16.0
4	倪尔瑚	桂林电子工业学院通信与信息工程系	1	11	1.0	1.0