金刚石n型掺杂的研究进展

• 作者: 文钦若 赵庆勋 辛红丽 韩佳宁
• 来源期刊: 河北大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺杂 n型半导体 金刚石
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 3659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2002.01.023

摘要

对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述,并对I族元素(Li,Na),V族元素(N,P),Ⅵ族元素(O,S)等施主元素掺杂后的性能进行了比较.分析表明:采用CVD法,掺入硫杂质应是较理想的掺杂方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵庆勋	河北大学物理科学与技术学院	54	254	10.0	13.0
2	文钦若	河北大学物理科学与技术学院	11	20	3.0	4.0
3	韩佳宁	河北大学物理科学与技术学院	4	15	3.0	3.0
4	辛红丽	河北大学物理科学与技术学院	5	17	3.0	4.0