GaN/GaAs(001)与GaN/Al2O3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较

• 作者: 冯志宏 冯淦 孙元平 张宝顺 张泽洪 张秀兰 杨辉 沈晓明 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方GaN MOVPE 光辅助湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 881-885
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.018

摘要

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN) 外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对引起上述差异的原因进行了简单的讨论.