ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性

• 作者: 张新元 董建华 黄佳木
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 ZAO薄膜 结构 光电特性
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试剂
• 页码范围: 7-10，13
• 页数: 5页
• 分类号: TB383|O484
• 字数: 3263字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.11.003

摘要

笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响.实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7×10-4 Ωcm,可见光透过率在85%以上.X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长.