退火温度对a-Se0.70Ge0.15Sb0.15薄膜的结构和光学性质的影响

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶 Se0.70Ge0.15Sb0.15薄膜 光学特性 退火
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 137-144
• 页数: 8页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.02.008

摘要

研究了退火温度对Se0.70Ge0.15Sb0.15薄膜的影响.通过热蒸发技术,在300K温度下将大块无定形Se0.70Ge0.15Sb0.1s沉积在石英和玻璃衬底上.研究发现,未经过退火处理的薄膜结构和在300K,1.33×10-5Pa下退火1小时后的薄膜结构都是无定形结构,而在同样气压470K温度下退火1小时的薄膜有结晶现象.通过在300 2 500nm范围内垂直入射光方向上透射率和反射率的测试,研究了薄膜的一些光学参数,如消光系数(k),折射系数(n)和吸收系数(a).研究发现,n和k同热处理温度有关.通过光学数据的分析,得到了不同条件下薄膜的间接带隙宽度(Enong),未经过热处理薄膜的Enong是1.715±0.021eV,300K下退火薄膜的Enong是1.643±0.021eV,470K下退火的Enong是1.527±0.021eV.退火温度降低了带隙宽度Enong,但增加了带尾eo这种效应可以根据Mott和Davis提出的多晶体系中态密度来解释.