直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

• 作者: 徐成海 裴志亮 闻立时 陆峰
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: ZAO 电阻率 透射率
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 真空镀膜专辑
• 页码范围: 23-26
• 页数: 4页
• 分类号: TG113|O484|TN304.21|TB43
• 字数: 2281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2002.03.006

摘要

本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析，探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐成海		133	1297	21.0	27.0
2	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
3	陆峰		9	192	7.0	9.0
4	裴志亮	中国科学院金属研究所	19	425	12.0	19.0