沟道热载流子导致的SOI NMOSFET's的退化特性

• 作者: 刘红侠 朱建纲 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI NMOSFET's 沟道热载流子 退化 阈值电压 寄生双极晶体管(PBT)
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 4189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.015

摘要

研究了沟道热载流子效应引起的SOI NMOSFET's的退化.在中栅压应力(Vg≈Vd/2)条件下,器件退化表现出单一的幂律规律;而在低栅压应力(Vgs≈Vth)下,由于寄生双极晶体管(PBT)效应的影响,多特性的退化规律便会表现出来,漏电压的升高、应力时间的延续都会导致器件退化特性的改变.对不同应力条件下的退化特性进行了详细的理论分析,对SOI NMOSFET'S器件退化机理提出了新见解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子所	91	434	10.0	15.0
3	朱建纲	西安电子科技大学微电子所	5	13	3.0	3.0