太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用

• 作者: 应啸 杨德仁 王莉蓉
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳 氧沉淀 硅 太阳电池
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 129-133
• 页数: 5页
• 分类号: TK514
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2002.02.001

摘要

主要通过单步退火、二步退火的方法,借助于红外光谱仪,研究了太阳电池用直拉硅单晶中碳对氧沉淀的作用,发现碳在单步退火过程中不参与氧沉淀;经过预处理的太阳电池用硅单晶尾部(高碳区)样片在950℃和1050℃第二步退火时碳参与了氧沉淀的长大.二步退火过程中尾部(高碳区)样片产生了氧沉淀较头部(低碳区)多(除了850℃以外),由此可以推断原生碳含量越高,就越能促进氧沉淀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	王莉蓉	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0
3	应啸	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0