5～20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响

• 作者: 司戈丽 张新辉 王荣 翟佐绪 郭增良
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 质子辐照
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 214-217
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|V442
• 字数: 1935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.02.014

摘要

用能量为5～20MeV,注量为1×109～7×1013cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并对变化关系进行了能损模拟分析.结果表明:注量低于1×109cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化;当注量增加为3×1012cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80%,86%,90%;Voc的衰降变化分别为原值的82%,85%,88%; Pmax的衰降变化分别为原值的60%,64%,67%.当辐照注量为5×1013cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的26%,30%,36%.即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣		13	105	7.0	9.0
2	司戈丽		1	10	1.0	1.0
3	郭增良		4	46	3.0	4.0
4	张新辉		3	44	3.0	3.0
5	翟佐绪		2	21	2.0	2.0