高压GaAs亚纳秒光电导开关的实验研究

• 作者: 施卫 李琦
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电开关 脉冲激光器/脉冲功率技术
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 70-72
• 页数: 3页
• 分类号: TN201
• 字数: 2296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2002.04.023

摘要

报道了用全固态绝缘结构研制的半绝缘GaAs光电导开关产生高压亚纳秒电脉冲的性能和测试结果.分别用ns、ps激光脉冲触发开关的测试表明,开关的暗态维持电场达35kV/cm,输出电流脉冲上升时间约500ps,达亚纳秒量级.测量了高倍增开关的光电阈值曲线,其最小触发电场阈值≥4.1kV/cm.开关输出电磁脉冲无晃动.3mm电极间隙开关2500V偏置下,入射光能量为8μJ时获得线性波形,在48μJ时获得Lock-on波形.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫		85	925	17.0	25.0
2	李琦		52	753	15.0	25.0