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高压损耗型MOSFET
高压损耗型MOSFET
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金属氧化物
晶体管
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文献信息
篇名
高压损耗型MOSFET
来源期刊
电子元器件应用
学科
工学
关键词
金属氧化物
晶体管
高压损耗型MOSFET
年,卷(期)
2002,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
64
页数
1页
分类号
TN32
字数
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晶体管
高压损耗型MOSFET
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期刊影响力
电子元器件应用
主办单位:
中国电子元件行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1563-4795
CN:
开本:
大16开
出版地:
西安市科技路37号海星城市广场B座240
邮发代号:
创刊时间:
1999
语种:
chi
出版文献量(篇)
5842
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11366
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