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摘要:
本文综述了新型压电晶体La3Ga5SiO14的最新研究进展,详细讨论了该晶体的生长问题,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用,分析了该晶体在压电应用方面的优势.
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La3Ga5SiO14晶体电子结构及光学性质的第一性原理研究
La3Ga5SiO14
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 La3Ga5SiO14单晶的生长、性能及SAW应用
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 La3Ga5SiO14 Czochralski LPE 晶体生长 压电性能 声表面波
年,卷(期) 2002,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 559-564
页数 6页 分类号 O782
字数 3507字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 武安华 中国科学院上海硅酸盐研究所 26 110 7.0 9.0
2 徐家跃 中国科学院上海硅酸盐研究所 47 396 12.0 17.0
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研究主题发展历程
节点文献
La3Ga5SiO14
Czochralski
LPE
晶体生长
压电性能
声表面波
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
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