a-Si∶H 薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜

• 作者: 方健文 林璇英 陈城钊
• 来源期刊: 浙江师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 化学
• 关键词: 固相晶化法(SPC) 多晶硅薄膜 平均晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2002,（3）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 246-249
• 页数: 4页
• 分类号: O644|O484
• 字数: 2315字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5051.2002.03.009

摘要

利用固相晶化法获得多晶硅薄膜(退火温度700～800 ℃),采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析.研究结果表明:晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加;并且退火后薄膜暗电导率提高了2～4个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
2	方健文	浙江师范大学数理与信息科学学院	21	116	5.0	10.0
3	陈城钊	韩山师范学院物理系	23	86	5.0	8.0