量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响

• 作者: 周星飞 施斌 樊永良 胡冬枝 蒋最敏 龚大卫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/Ge界面互扩散 量子点 分子束外延
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 731-734
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.012

摘要

在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层,高温退火形成量子点.我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点,而不是纯Ge量子点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施斌	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	18	196	8.0	14.0
2	胡冬枝	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	5	18	3.0	4.0
3	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
4	樊永良	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	15	3.0	3.0
5	周星飞	宁波大学物理系	15	40	4.0	5.0
6	龚大卫	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	3	1.0	1.0