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宽带GaAs三栅MESFET开关模型
宽带GaAs三栅MESFET开关模型
作者:
李拂晓
洪倩
蒋幼泉
郝西萍
陈效建
陈新宇
陈继义
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
开关
模型
宽带
三栅MESFET
摘要:
提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好.
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文献信息
篇名
宽带GaAs三栅MESFET开关模型
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
开关
模型
宽带
三栅MESFET
年,卷(期)
2002,(8)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
852-854
页数
3页
分类号
TN386.3
字数
1537字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蒋幼泉
34
192
9.0
11.0
2
陈继义
18
66
4.0
6.0
3
李拂晓
60
352
10.0
14.0
4
陈效建
40
253
9.0
14.0
5
陈新宇
26
101
7.0
8.0
6
郝西萍
9
28
3.0
5.0
7
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2
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
2005(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2007(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
开关
模型
宽带
三栅MESFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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