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摘要:
提出一种三栅MESFET开关的模型--附加栅控开关模型,模型是根据三栅MESFET开关器件的结构,考虑了栅极对微波信号的影响,适用于MMIC开关电路的设计,具有很好的宽带微波特性.器件测试值与模型模拟值吻合较好.
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内容分析
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文献信息
篇名 宽带GaAs三栅MESFET开关模型
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 开关 模型 宽带 三栅MESFET
年,卷(期) 2002,(8) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 852-854
页数 3页 分类号 TN386.3
字数 1537字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.08.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蒋幼泉 34 192 9.0 11.0
2 陈继义 18 66 4.0 6.0
3 李拂晓 60 352 10.0 14.0
4 陈效建 40 253 9.0 14.0
5 陈新宇 26 101 7.0 8.0
6 郝西萍 9 28 3.0 5.0
7 洪倩 2 6 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
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二级引证文献  (0)
1989(1)
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2002(0)
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2007(1)
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研究主题发展历程
节点文献
开关
模型
宽带
三栅MESFET
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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