单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

• 作者: 林兰英 王俊 王启元 王建华 蔡田海 谭利文 邓惠芳 郁元桓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中子辐照 退火 辐照缺陷
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 43-48
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 4032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.010

摘要

对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150～650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关.