采用O.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计

• 作者: 张振勇 杨莲兴 胡伟 陈金福
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 降频混频电路,高线性度,0.18μm CMOS,射频电路
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: EDA技术专栏
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 2237字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.12.014

摘要

介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理,并且着重分析了一种高线性度的实现方法.电路采用了0.18um CMOS RF模型,通过仿真,得出了令人满意的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨莲兴	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	28	239	8.0	14.0
2	胡伟	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	21	90	6.0	9.0
3	张振勇	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	陈金福	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0