VDMOSFET导通电阻的最佳化设计

• 作者: 高雅君
• 来源期刊: 飞机设计
• 学科: 航空航天
• 关键词: VDMOSFET 特征电阻 单胞尺寸
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: V2
• 字数: 2282字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-4599.2002.02.012

摘要

分析了VDMOSFET导通电阻模型,提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素.单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA(单位面积导通电阻)最小 ,并通过大量理论计算给出击穿电压为50 V时的最佳单胞尺寸.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高雅君	辽宁大学物理系	4	6	1.0	2.0