Flash存储器技术与发展

• 作者: 朱钧 潘立阳
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体存储器 不挥发性存储器 Flash存储器 ETOX结构
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1-6,10
• 页数: 7页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 6599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2002.01.001

摘要

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器.文章对Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子学研究所	43	464	12.0	20.0
2	潘立阳	清华大学微电子学研究所	20	173	5.0	13.0