非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性

• 作者: 林兰英 焦景华 董宏伟 赵建群 赵有文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟(InP) 非掺 半绝缘 均匀性 霍耳(Hall) PL-Mapping
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2946字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.012

摘要

对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究.非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行930℃、80h退火均可获得半绝缘材料.但在这两种条件下制备的两种50mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性.纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到106Ω·cm和1800cm2/(V·s);而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达107Ω*cm和3000cm2/(V*s)以上.对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的PL-Mapping结果进一步比较表明:在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘材料的均匀性最好,而在纯磷气氛下制备的半绝缘磷化铟的均匀性较差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林兰英	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	33	145	7.0	10.0
2	赵有文	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	42	217	7.0	11.0
3	董宏伟	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	5	75	4.0	5.0
4	焦景华	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	4	24	3.0	4.0
5	赵建群	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	3	22	3.0	3.0