CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

• 作者: 吴霞宛 李树荣 郑云光 郭维廉 郭辉 陈培毅 黎晨
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SiGe p-i-n光电探测器 光探测
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.004

摘要

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴霞宛	天津大学电信工程学院	52	469	11.0	19.0
2	陈培毅	清华大学微电子研究所	52	245	10.0	12.0
3	郭维廉	天津大学电信工程学院	145	419	10.0	12.0
4	李树荣	天津大学电信工程学院	38	187	9.0	11.0
5	郑云光	天津大学电信工程学院	28	73	6.0	6.0
6	郭辉	天津大学电信工程学院	18	75	5.0	8.0
7	黎晨	清华大学微电子研究所	6	28	3.0	5.0