磁控溅射的Ge/Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究

• 作者: 周湘萍 张树波 杨宇 毛旭
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ge/Si异质材料 Raman光谱 退火
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 34-36,40
• 页数: 4页
• 分类号: TN076
• 字数: 2597字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.02.009

摘要

用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制,异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	周湘萍	云南师范大学物理与电子信息学院	21	165	8.0	12.0
3	毛旭	云南大学材料科学与工程系	9	71	6.0	8.0
4	张树波	云南大学材料科学与工程系	8	45	5.0	6.0