用弹道电子显微术研究Co-Ti-Si系统的退火温度对CoSi2/Si势垒不均匀性的影响

• 作者: C.Detaveriner F.Cardon R.L.van Meirhaeghe 屈新萍 李炳宗 竺士炀 茹国平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 弹道电子显微术 肖特基势垒高度 硅化物 不均匀性
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.002

摘要

通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用弹道电子显微术(BEEM)及其谱线(BEES)测量了CoSi2/Si接触的局域肖特基势垒高度.对于800℃退火的CoSi2/Si接触,势垒高度的空间分布基本符合高斯分布,其峰值在599meV,标准偏差为21meV.而对于700℃退火样品,势垒高度分布很不均匀,局域的势垒高度值分布在152meV到870meV之间,这可归因于CoSi2薄膜本身的不均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学微电子学系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学微电子学系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学微电子学系	21	90	5.0	9.0
4	竺士炀	复旦大学微电子学系	8	59	4.0	7.0