MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

• 作者: 万凌云 彭学新 江风益 熊传兵 王立 莫春兰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN MOCVD 透射光谱 X射线双晶衍射 PL谱 RBS/沟道
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 352-356
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2436字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2002.04.007

摘要

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系.同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
2	王立	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
3	熊传兵	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	23	157	7.0	11.0
4	彭学新	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	16	117	7.0	10.0
5	万凌云	南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心	1	3	1.0	1.0