蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究

• 作者: 张永华 彭军 朱作云 王剑屏 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 外延生长 化学汽相淀积
• 年，卷（期）: 2002,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1793-1797
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4505字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.08.026

摘要

报道了在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上采用atmospheric pressure chemical vapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究. 通过引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在35.49°和75.02°发现了6H-SiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的. 扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵向剖面的元素结构进行了分析,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	朱作云	西安电子科技大学微电子研究所	13	98	6.0	9.0
3	王剑屏	西安电子科技大学微电子研究所	7	48	3.0	6.0
4	彭军	西安电子科技大学微电子研究所	10	97	3.0	9.0
5	张永华	西安电子科技大学微电子研究所	6	24	2.0	4.0