位错对阳极氧化铝多孔薄膜纳米孔阵列结构的影响

• 作者: 巩运兰 王为 王惠 郭鹤桐
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 位错 多孔铝氧化物薄膜 电解质强度
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1103-1105
• 页数: 3页
• 分类号: O646.542|TQ153.6
• 字数: 2360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0518.2002.11.020

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王为	天津大学化工学院应用化学系	125	1597	22.0	34.0
2	巩运兰	天津大学化工学院应用化学系	7	120	6.0	7.0
6	王惠	天津大学化工学院应用化学系	16	162	6.0	12.0
7	郭鹤桐	天津大学化工学院应用化学系	42	961	15.0	30.0