采用As2和As4模式的新型全固源InAsP分子束外延生长

• 作者: 任在元 何为 罗毅 郝智彪
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 全固源分子束外延 InAsyP1-y/InP量子阱 As2 As4
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.01.013

摘要

在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解As源炉,对As2和As4的生长特性进行了全面的研究.以As2和As4两种模式,在(001)InP衬底上生长了高质量的InAsP体材料和InAsyP1-y/InP多量子阱样品.材料质量用X射线衍射(XRD)以及室温和低温的光致发光(PL)测定.实验发现,两种模式生长的样品的晶体结构质量相当,但As2的吸附系数明显大于As4的吸附系数.另外,用As2模式生长的多量子阱样品的室温光学特性优于As4模式生长的样品,但在低温时,二者几乎相同,这是由As4较为复杂的生长机制所引入的缺陷造成的.