室温铁磁性半导体MnxGa1-xSb

• 作者: 刘志凯 张富强 杨君玲 杨少延 林兰英 柴春林 王占国 胡文瑞 陈诺夫
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 工学
• 关键词: MnxGa1-xSb 铁磁性 稀磁半导体
• 年，卷（期）: 2002,（24）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1863-1864
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2002.24.005

摘要

采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb, 在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线. 用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构, 用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布. 由X射线衍射得知, MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0. 电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021 cm-3, 表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位, 起受主作用.