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摘要:
利用甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷合成了带C=C端基的活性膜/SiO2复合体,探讨了其表面结构.XPS表征表明,SiO2表面的有机硅烷牢固结合,扫描电镜表征了硅烷化后SiO2表面的膜结构,并且保留了其多孔特征.
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文献信息
篇名 表面带C=C端基活性膜SiO2复合体的研究
来源期刊 武汉化工学院学报 学科 化学
关键词 多孔SiO2 甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷 表面活性膜 合成技术
年,卷(期) 2002,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 37-39
页数 3页 分类号 O647.11|TQ620.1
字数 2129字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2869.2002.03.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闻荻江 苏州大学材料工程学院 113 1183 19.0 29.0
2 朱新生 苏州大学材料工程学院 82 535 11.0 20.0
3 李敏 苏州大学材料工程学院 78 462 10.0 19.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
多孔SiO2
甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷
表面活性膜
合成技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
武汉工程大学学报
双月刊
1674-2869
42-1779/TQ
大16开
武汉市江夏区流芳大道特1号,武汉工程大学流芳校区,西北区1号楼504学报编辑部收
1979
chi
出版文献量(篇)
3719
总下载数(次)
13
总被引数(次)
21485
论文1v1指导