X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

• 作者: 屠海令 王超群 胡广勇 郑安生 钱嘉裕 黎建明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1187-1191
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 3341字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.012

摘要

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.