SiC和Si混合PiN/Schottky二极管的模拟和设计

• 作者: 张义门 张玉明 牛新军
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 碳化硅 模拟/混合PiN/Schottky二极管(MPS)
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 器件
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN31
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2002.01.018

摘要

介绍一种具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器--混合PiN/Schottky二极管(MPS),它速度快、击穿电压高、漏电流小、正向压降低,适合功率系统使用.理论分析了该器件的正向导通、反向阻断和击穿特性.主要考虑4H SiC,模拟和优化设计了器件的外延层掺杂浓度和厚度、肖特基接触和PN结网格宽度、PN结深度和掺杂浓度等主要的结构参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	牛新军	西安电子科技大学微电子所	4	14	2.0	3.0