980nm垂直腔型面发射和接收器件及列阵的研制

• 作者: 吴荣汉 唐君 杜云 杨晓红 梁琨 陈弘达
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光互连 谐振腔增强型光子器件 单片集成
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1135-1139
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.11.002

摘要

采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高电光转换效率,制备980nm波段发光器件及1×16列阵芯片,发射谱线半宽≤4.8nm,注入电流为50mA时,发射功率为0.7mW.对列阵芯片用探针进行在线检测,器件均有良好的发光特性.接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节.通过腐蚀器件顶部DBR的方法调节入射镜反射率,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨晓红	中国科学院半导体研究所国家集成光电子学国家重点联合实验室	33	182	8.0	12.0
2	杜云	中国科学院半导体研究所国家集成光电子学国家重点联合实验室	21	67	5.0	7.0
3	陈弘达	中国科学院半导体研究所国家集成光电子学国家重点联合实验室	82	341	10.0	13.0
4	唐君	中国科学院半导体研究所国家集成光电子学国家重点联合实验室	14	42	3.0	6.0
5	梁琨	中国科学院半导体研究所国家集成光电子学国家重点联合实验室	6	14	2.0	3.0