分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

• 作者: C.L.Yang I.K.Sou J.Wang Weikun Ge Z.H.Ma 卢励吾 王占国
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅱ-Ⅵ半导体,自组织量子点,光、电特性
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 310-314
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2002.02.020

摘要

分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	101	701	15.0	23.0
2	卢励吾	中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室	5	5	2.0	2.0
3	C.L.Yang	香港科技大学物理系	1	2	1.0	1.0
4	J.Wang	香港科技大学物理系	3	3	1.0	1.0
5	Z.H.Ma	香港科技大学物理系	2	2	1.0	1.0
6	I.K.Sou	香港科技大学物理系	4	4	2.0	2.0
7	Weikun Ge	香港科技大学物理系	3	3	1.0	1.0