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摘要:
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了氧化锡的金红石结构.对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为1 3.9cm2/V@s,载流子浓度为15.5×1019cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×103Ω@cm.在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右.
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射频磁控溅射
透明导电薄膜
光电性能
氧气分压
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 磁控溅射法在有机衬底上制备SnO2掺Sb透明导电膜
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 有机衬底 SnO2:Sb透明导电膜 射频磁控溅射
年,卷(期) 2002,(12) 所属期刊栏目 支撑技术
研究方向 页码范围 64-67
页数 4页 分类号 TN305
字数 2785字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.12.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 万云芳 山东理工大学物理系 15 77 5.0 8.0
2 杨田林 山东理工大学物理系 8 75 6.0 8.0
3 高绪团 山东理工大学物理系 8 96 6.0 8.0
4 杨光德 山东理工大学物理系 4 29 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
有机衬底
SnO2:Sb透明导电膜
射频磁控溅射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
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