ZnO薄膜的XPS研究

• 作者: 刘大力 张源涛 杜国同 杨小天 杨树人 王海嵩 王金忠 赵佰军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强型MOCVD X光衍射 光电子能谱
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 426-428
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.06.019

摘要

利用等离子体增强型MOCVD设备,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征,结果表明生长过程中多次退火的样品具有较高的质量,O/Zn原子比较大,且受空气中氧和水汽的影响最小.