Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性

• 作者: 宁宝俊 张太平 张锦文 武国英 王玮 闫桂珍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HFET 输出特性
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 424-427
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.+3
• 字数: 2370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.04.018

摘要

报道了栅长为1.5μm Au-AlGaN/GaN HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果.同时,研究了器件经300℃、30min热处理对器件性能的影响,并对比了热处理前后器件的室温特性.实验证明:室温下,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性,反向漏电流较小,最大跨导可达47mS/mm;经过300℃、30min热处理后器件的室温输出特性有显著改善,而且器件饱和压降明显降低,说明300℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁宝俊	北京大学微电子研究所	15	100	5.0	9.0
2	王玮	北京大学微电子研究所	61	390	12.0	17.0
3	张太平	北京大学微电子研究所	8	77	5.0	8.0
4	武国英	北京大学微电子研究所	13	274	6.0	13.0
5	张锦文	北京大学微电子研究所	7	221	5.0	7.0
6	闫桂珍	北京大学微电子研究所	10	142	7.0	10.0