0.5 MeV质子对玻璃盖片未完全覆盖GaAs/Ge太阳电池的影响

• 作者: 王荣 郭增良
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/Ge太阳电池 质子辐照
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 764-767
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|V442
• 字数: 2578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2002.06.011

摘要

用注量为1.2×1012～1.2×1013 cm-2的低能量(0.5 MeV)质子辐照空间实用GaAs/Ge太阳电池,电池被覆盖有4种情况:100%玻璃覆盖,5%部分无玻璃覆盖有封胶,5%部分无玻璃覆盖无封胶,100%无玻璃覆盖.研究表明,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大,但性能参数I sc和U oc衰降程度4种覆盖情况是不同的:100%覆盖,电池性能衰降最弱;5%部分无玻璃覆盖有封胶,性能衰降较弱;5%部分无玻璃覆盖无封胶,衰降较强;100%无覆盖性能衰降最大.研究还表明,相同的质子辐照注量引起的Isc衰降变化比Uoc变化显著;未覆盖部分仅占5%,也会引起电池性能明显衰降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣		13	105	7.0	9.0
2	郭增良		4	46	3.0	4.0