两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较

• 作者: 刘翔 吴长树 廖仕坤 张鹏翔 杨家明 角忠华 赵德锐 陈庭金
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 两步生长 直接生长 GaAs/Si
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 128-131
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.017

摘要

报道了采用热壁外延(HWE)技术,在(100),(111)和(211)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较,得出结论:(1)相同取向Si衬底,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好;(2)采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响, (211)面外延的GaAs薄膜质量最好,(100)面次之,(111)面最差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈庭金		42	351	10.0	17.0
2	杨家明		19	171	7.0	12.0
3	张鹏翔		148	1293	19.0	28.0
4	刘翔		45	94	5.0	7.0
5	吴长树		6	12	2.0	3.0
6	赵德锐		3	4	2.0	2.0
7	廖仕坤		4	3	1.0	1.0
8	角忠华		1	2	1.0	1.0