高功率微波对杂质半导体材料的透射计算

• 作者: 余稳 郭杰荣
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率微波 透射 复电容率 杂质半导体
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 机械工程与电子工程
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TN302
• 字数: 1522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5900.2002.02.021

摘要

主要研究HPM脉冲直接辐照半导体材料情形,给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时,透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透射进入内部的电场值、电流密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余稳		6	40	3.0	6.0
3	郭杰荣		3	4	1.0	2.0