开管扩镓改善器件电参数性能的机理分析

• 作者: 孙瑛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 开管镓掺杂 SiO2/Si系 机理
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 746-751
• 页数: 6页
• 分类号: TN301
• 字数: 5487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.015

摘要

叙述了SiO2/Si系开管扩镓工艺和镓掺杂原理,研究了镓掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用SiO2/Si系开管扩镓工艺,扩镓硅片表面状况、均匀性和重复性良好,镓杂质浓度分布理想,并能明显改善器件电参数性能,提高电参数一致性,增加成品率等,优于闭管扩镓、裸Si系开管扩镓和硼扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙瑛		9	50	3.0	7.0