CVD法制备SiC先进陶瓷材料研究进展

• 作者: 刘荣军 周新贵 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: CVD SiC先进陶瓷 进展
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 46-插1
• 页数: 4页
• 分类号: TB323
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2002.07.012

摘要

SiC陶瓷材料具有许多优异的性能如高比强度、高比模量、低密度、高硬度、高导热系数、低的热膨胀系数、耐腐蚀、抗氧化等,从而被广泛用作高温结构部件.CVD 工艺灵活,制备的SiC陶瓷具有很高纯度和致密度,因而是制备先进SiC陶瓷的最有希望的工艺之一.对CVD法制备SiC涂层和SiC基复合材料的研究及应用进行了综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
4	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0