大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

• 作者: 李将录 荣剑英 赵洪安 赵秀平 郎荣福
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直区熔法 Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3 大尺寸晶锭
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 144-147
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.016

摘要

采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵洪安	哈尔滨师范大学物理系	2	14	2.0	2.0
2	荣剑英	哈尔滨师范大学物理系	15	87	5.0	8.0
3	李将录	哈尔滨师范大学物理系	2	14	2.0	2.0
4	郎荣福	哈尔滨师范大学阿城学院物理系	3	11	1.0	3.0
5	赵秀平	哈尔滨师范大学物理系	1	11	1.0	1.0