TiB2与BN复相陶瓷的渗流模型

• 作者: 傅正义 王玉成
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiB2 BN 复相陶瓷 渗流 导电性
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 3156字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3851.2002.01.011

摘要

试验结果证实,TiB2与BN复相陶瓷的导电性能符合渗流理论,原料粉粒度配比下,其渗流阀值为Vc%=22.9 %;原料粉粒度比的改变将改变渗流阀值,从而改变各配比下的电阻率值;TiB2与BN在SPS系统中快速烧结,晶粒的尺度比与原料粉的粒度比基本保持一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅正义	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	144	1583	22.0	32.0
2	王玉成	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	33	204	9.0	14.0