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碲镉汞环孔p-n结反常特性分析
碲镉汞环孔p-n结反常特性分析
作者:
常本康
蔡毅
邢素霞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碲镉汞
环孔p-n结
电极
反常现象
摘要:
在HgCdTe 环孔p-n结器件的研制过程中,经常会出现一些反常现象,如负的开路电压和负的光电压等.现对上述现象进行理论分析,并通过大量实验对上述反常现象进行了验证.
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文献信息
篇名
碲镉汞环孔p-n结反常特性分析
来源期刊
红外技术
学科
工学
关键词
碲镉汞
环孔p-n结
电极
反常现象
年,卷(期)
2002,(6)
所属期刊栏目
材料与器件
研究方向
页码范围
81-85
页数
5页
分类号
TN215
字数
3295字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-8891.2002.06.019
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蔡毅
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节点文献
碲镉汞
环孔p-n结
电极
反常现象
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
主办单位:
昆明物理研究所
中国兵工学会夜视技术专业委员会
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-8891
CN:
53-1053/TN
开本:
大16开
出版地:
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
邮发代号:
64-26
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
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