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摘要:
在HgCdTe 环孔p-n结器件的研制过程中,经常会出现一些反常现象,如负的开路电压和负的光电压等.现对上述现象进行理论分析,并通过大量实验对上述反常现象进行了验证.
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文献信息
篇名 碲镉汞环孔p-n结反常特性分析
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 碲镉汞 环孔p-n结 电极 反常现象
年,卷(期) 2002,(6) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 81-85
页数 5页 分类号 TN215
字数 3295字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.06.019
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 蔡毅 29 641 12.0 25.0
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研究主题发展历程
节点文献
碲镉汞
环孔p-n结
电极
反常现象
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
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13
总被引数(次)
30858
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