纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

• 作者: 季秉厚 宋淑芳 李健
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空蒸发 纳米ZnO薄膜 液态源掺杂 氧化
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2002.02.017

摘要

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜.对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜.研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响.结果表明:氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李健	内蒙古大学理工学院	36	200	7.0	12.0
2	宋淑芳	内蒙古大学理工学院	5	19	4.0	4.0
3	季秉厚	内蒙古大学理工学院	10	106	5.0	10.0