a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析

• 作者: 林鸿生 段开敏 马雷
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC∶H隙态密度分布 载流子收集
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 492-498
• 页数: 7页
• 分类号: TM914.42
• 字数: 4560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.05.010

摘要

通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态a-SiC/c-Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟,详细分析不同制备条件下a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布,指出采用更薄p+(a-SiC∶H)薄膜和在pn异质结嵌入i(a-Si∶H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集,从而提高a-SiC/c-Si异质结太阳能电池的性能,而高强度光照射下模拟计算表明,a-SiC/c-Si异质结太阳能电池具有较高光稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿生	中国科学技术大学物理系	16	74	5.0	8.0
2	段开敏	中国科学技术大学物理系	10	50	4.0	7.0
3	马雷	中国科学技术大学物理系	22	323	9.0	17.0